目前,大部分電子設備都包含兩類不同的場效應電晶體:使用電子作為載荷子的n型和使用空穴作為載荷子的p型。這兩種電晶體一般不會相互轉化。而德累斯頓工業大學(Technische Universitaet Dresden)和德奇夢達公司攜手研製的新式電晶體可通過電信號對其編程,讓其自我重新裝配,游走於n型電晶體和p型電晶體之間。
新電晶體由單條金屬—半導體—金屬結構組成的納米線嵌於一個二氧化矽外殼中構成。從納米線一端流出的電子或空穴通過兩個門(閘)到達納米線的另一 端。這兩個門採用不同方式控制電子或空穴的流動:一個門通過選擇使用電子或空穴來控制電晶體的類型;另一個門則通過調諧納米線的導電性來控制電子或空穴。
傳統電晶體通過在製造過程中摻雜不同元素來確定其是p型還是n型,而新式電晶體不需要在製造過程中摻雜任何元素,通過在一個門上施加外部電 壓即可重新配置電晶體的類型。施加的電壓會使門附近的肖特基結阻止電子或空穴流過設備,如果電子被阻止,空穴能流動,那麼,電晶體就是p型,反之則是n 型。
研究人員解釋道,使這種再配置能起作用的關鍵是調諧分別通過肖特基結(每個門一個)的電子流動情況,類比顯示,納米線的幾何形狀在這方面起關鍵作用。
儘管該研究還處於初期階段,但新式電晶體展示出了極佳的電學特性。比如,與傳統納米線場效應電晶體相比,其開/閉比更高,且漏電更少。該研 究的領導者沃爾特•韋伯表示:“除採用人造納米線外,採用目前先進的矽半導體製造技術也可以製造出這種電晶體,還可以用到自對準技術,大大提高工作頻率和 速度。”
接下來,科學家們計畫通過改變材料的組成來改進新式電晶體的性能,並製造出由其運行的電路。他們表示,最大的挑戰是,在將其與其他電晶體結合在一起時,如何將額外的門信號整合進來。
科技日報 2011/12/22 劉霞
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- Universal transistor serves as a basis to perform any logic function (Physorg)
- Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors (Nano Letters)
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